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MOCVD設(shè)備品牌
鵬城半導(dǎo)體產(chǎn)地
廣東樣本
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MOCVD設(shè)備（化學(xué)氣相沉積CVD）
可用于GaN、ZnO等的外延生長。
材料的輸運(yùn)采取了超純的氣路系統(tǒng)，源的切換和輸入采用了多路組合閥進(jìn)氣技術(shù)。由于組合閥具有極小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。
采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力，大大降低了源的壓力和濃度波動(dòng)，有利于材料生長的重復(fù)性和穩(wěn)定性。
采用了管道鑲嵌式進(jìn)氣噴頭，使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng)，大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。
采用電阻式快速升降溫加熱爐。
暫無數(shù)據(jù)！
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