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集成電路

1) 用于超小型MOS晶體管的柵側(cè)壁和絕緣體.

1) 由于SiNx中H含量較低，MOS晶體管的壽命延長了2個數(shù)量級。

尚未實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)

化合物半導(dǎo)體器件

1) GaN、GaAs等超高頻晶體管的鈍化.

1) 通過減少鈍化層以下的表面損傷來提高GaN或GaAs晶體管的截止頻率和可用功率。

1) 和 2) 都實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用.

2) 用于光通信的激光器鈍化

2) 通過減少損傷增加能量和壽命

顯示器

1) a-Si TFT (非晶硅薄膜晶體管),

1) 具有較大的開關(guān)比，可實現(xiàn)低關(guān)斷電流和高穩(wěn)定性。

1) 尚未產(chǎn)業(yè)化

2) 沉積態(tài)的薄膜晶體管.

2) 遷移率超過40cm2/Vs。

2) 尚未產(chǎn)業(yè)化

3)有機(jī)電致發(fā)光器件上的氣體阻擋膜.

3) OLED壽命超過15,000小時。

3) 尚未產(chǎn)業(yè)化

4) 復(fù)印機(jī)用感光鼓

4) 氣體利用效率高，高速沉積。

4) 小規(guī)模生產(chǎn)

太陽電池

1) 薄膜太陽能電池.

1) HWCVD的沉積速率快，氣體利用率比PECVD高一個量級.

1) 尚未產(chǎn)業(yè)化

2) 晶體硅太陽電池中的鈍化層和減反射層.

2) 用HWCVD鍍的膜具有極低的表面復(fù)合速率 velocity <0.2 cm/s .

2) 尚未產(chǎn)業(yè)化

3) 非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池

3) 無等離子體損傷、氣體利用率高

3) 大規(guī)模批量生產(chǎn)

機(jī)械工程

1) 汽車用鍍金屬鍍層的替代涂裝方法。

1) 混合動力轎車采用HWCVD鍍膜后，鍍層壽命比傳統(tǒng)鍍金屬提高1個數(shù)量級。

1) 技術(shù)開發(fā)中

2) 在剃須刀上涂上涂層。

2)在不犧牲銳度的情況下，制造出低摩擦表面。

2) 高檔剃須刀已產(chǎn)業(yè)化

其他應(yīng)用

1) 去除光刻膠。

1) 用HWCVD法去除經(jīng)高劑量離子注入后的光刻膠，且不會有任何殘留。

1) 相關(guān)設(shè)備已制造。

2) 表面清潔。

2) 清潔遠(yuǎn)紫外光刻的反射鏡表面

2) 在遠(yuǎn)紫外光刻設(shè)備中應(yīng)用.

3) 改善噴墨或絲網(wǎng)印刷金屬線的電阻率。

3) 用HWCVD進(jìn)行氫處理可以在室溫下形成低電阻率的Cu或Ag金屬線。

3)產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)中

4) HWCVD法實現(xiàn)在c-Si中的低溫P或B摻雜

4) 通過熱絲裂解PH3或B2H6，可以在80℃條件下將P或B原子摻雜到c-Si中。

4)研究起步