推薦垂直型GaN-on-GaN器件的興起與未來(lái)

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 氮化鎵（GaN）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表之一，擁有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高電子漂移速率等優(yōu)點(diǎn)。制備出的氮化鎵器件導(dǎo)通電阻小、電子遷移率高、熱導(dǎo)性好，而且在散熱、能耗、體積等方面也有著很大的優(yōu)勢(shì)，不僅[更多]