推薦新成果！浙大科創(chuàng)中心8英寸碳化硅襯底研制成功

中國粉體網訊 近日，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進半導體研究院-杭州乾晶半導體聯(lián)合實驗室（簡稱聯(lián)合實驗室）經過系列技術攻關，在大尺寸碳化硅（SiC）單晶生長及其襯底制備方面取得突破，成功生長出厚度達27毫米的8[更多]