4月上旬，“十一五”863計(jì)劃新材料領(lǐng)域2007年立項(xiàng)專題課題驗(yàn)收會召開，本次會議對中科院半導(dǎo)體研究所新材料領(lǐng)域立項(xiàng)的11個(gè)課題進(jìn)行驗(yàn)收。科技部高技術(shù)中心副主任劉燕美、材料處處長史冬梅及項(xiàng)目主管蘇小虎出席了驗(yàn)收會；驗(yàn)收會專家組組長為北京郵電大學(xué)任曉敏教授，副組長為清華大學(xué)潘峰教授，成員包括北京大學(xué)沈波教授、北京交通大學(xué)延鳳平教授、吉林大學(xué)王一丁教授、上海微系統(tǒng)所科技處長程建功研究員、武漢郵科院北京分院余建國高工等；半導(dǎo)體所所長李晉閩、副所長陳弘達(dá)等參加了驗(yàn)收會。

    此次驗(yàn)收的11個(gè)課題分別為：太陽盲GaN基紫外探測器陣列、硅基氮化鎵厚膜襯底材料制備研究、基于光子晶體慢光效應(yīng)的適于光子集成的微納光放大器的研制、基于晶片鍵合和光子晶體波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的垂直腔面發(fā)射激光器的研究、1.55微米InGaNAs材料與激光器、320×256中/長波雙色大面陣量子阱紅外探測器、單片集成多波長分布反饋半導(dǎo)體激光器陣列、寬帶波長可控半導(dǎo)體激光器與半導(dǎo)體光放大器的單片集成、基于納米線平面光集成ROADM關(guān)鍵器件研究、波長可控垂直腔型半導(dǎo)體收發(fā)集成芯片研究、生長溫度周期調(diào)制MOCVD法制備ZnO材料及發(fā)光器件研究。

    與會專家認(rèn)真聽取了各課題組關(guān)于“十一五”期間的研究進(jìn)展、合同執(zhí)行情況、指標(biāo)完成情況以及經(jīng)費(fèi)管理和使用情況的匯報(bào)，經(jīng)過充分的答辯與討論，專家組形成驗(yàn)收意見，所有課題通過驗(yàn)收。在驗(yàn)收的11項(xiàng)課題中，有些課題組不僅完成了合同規(guī)定的研究目標(biāo)和研究內(nèi)容，而且繼續(xù)對課題進(jìn)行了深入探索，超額完成了研究任務(wù)；但是少數(shù)課題組在科研過程管理方面依然存在著重申請、輕完成的問題。

    劉燕美對此次驗(yàn)收會做了總結(jié)，對半導(dǎo)體所“十一五”863計(jì)劃新材料領(lǐng)域2007年立項(xiàng)的專題課題取得的成績給予了高度的肯定，同時(shí)希望半導(dǎo)體所全體科研人員在注重項(xiàng)目申請的同時(shí)，要嚴(yán)格按照合同實(shí)施項(xiàng)目，注重科研過程管理。