1.防護材料
普通陶瓷在用作防護材料時，由于其韌性差，受到彈丸撞擊后容易在撞擊區(qū)出現(xiàn)顯微破壞、垮晶、界面破壞、裂紋擴展等一系列破壞過程，從而降低了陶瓷材料的抗彈性能。而納米陶瓷由于其耐沖擊的性能可有效提高主戰(zhàn)坦克復合裝甲的抗彈能力，增強速射武器陶瓷襯管的抗燒蝕性和抗沖擊性。由防彈陶瓷外層和碳納米管復合材料作襯底，可制成堅硬如鋼的防彈背心。在高射武器方面采用納米陶瓷，可提高其抗燒結沖擊能力并延長使用壽命。目前國外復合裝甲已經采用高性能的防彈材料，在未來的戰(zhàn)爭中若能把納米陶瓷用于車輛裝甲防護，則會使裝甲層具有更好的抗彈、抗爆震、抗擊穿能力。
2.高溫材料
納米陶瓷具有高耐熱性、高溫抗氧化性、低密度、高斷裂韌性、抗腐蝕性和耐磨性，這些特性可提高航空發(fā)動機的渦輪前溫度，從而提高發(fā)動機的推重比和降低燃料消耗，因此納米材料有望成為艦艇、軍用渦輪發(fā)動機高溫部件的理想材料，以提高發(fā)動機的效率、可靠性與工作壽命。
3.吸收材料
ＳＩＮＣＯ陶瓷粉是用有機硅聚合物（ＰＳＮ）為前驅體，經高溫裂解得到黑色疏松體，再經球磨得到的黑色粉末。由于ＳＩＮＣＯ粉由ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４等具有吸波性的物質組成，而且具有良好的陶瓷特性，故受到研究人員的廣泛重視。周東等對ＳＩＮＣＯ粉末的吸波性能做了初步測試，實驗結果表明ＳＩＮＣＯ 粉在３８．０－３９．５ＧＨｚ高頻帶表現(xiàn)出較好吸波性，衰減大于１０ｄＢ．國外高溫吸波材料的研制主要集中在陶瓷基復合材料，除較早報道的ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４等的復合體，日本研制的ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４／Ｃ／ＢＮ耐高溫陶瓷吸波材料外，能作為高溫吸波材料的還有ＳｉＣｗｆ／ＧｅＯ２、ＺｒＯ２·Ａｌ２Ｏ３·２ＳｉＯ２／ｍｕｌｌｉｔｅ等。
納米ＳｉＣ不僅吸波性好，且耐高溫、相對密度小、韌性好、強度高、電阻率大、能削弱紅外信號，它與碳粉、納米金屬粉等結合吸波性能更佳。研究者們在ＳｉＣ中添加Ｎ、Ｏ等元素增強其半導體性能，其吸波性能也很好。Ｎｉｈａｒａ研究表明含有微米－納米級ＳｉＣ顆粒的復合陶瓷材料的性能明顯優(yōu)于常規(guī)單相ＳｉＣ材料，陶瓷的常溫和高溫性能都得到改善，穩(wěn)定性得以提高，其也是最有發(fā)展前途的陶瓷系統(tǒng)之一。碳化硅吸收劑雖然是隱身材料中最有希望的耐高溫吸波材料，但常規(guī)制備的碳化硅的吸收效率不是很高，并不能作為雷達波吸收劑，必須對其做進一步的處理，處理的目的是控制碳化硅的電導率，使其具有吸波性能�？刹扇煞N辦法提高ＳｉＣ的純度，并對其進行有控制的摻雜。日本利用純度極高的原料，制得幾乎不含任何雜質的ＳｉＣ粉體，該ＳｉＣ粉具有很寬的吸收頻帶和很高的吸波性能，但缺點是難以獲得純度極高的原料，成本高。西北工業(yè)大學的焦桓等采用ＣＶＤ法制備了ＳｉＣ（Ｎ）納米粉體，利用阻抗匹配原理進行優(yōu)化設計，分別設計出雙層吸波材料，用不同氮含量的ＳｉＣ（Ｎ）納米粉體設計吸波材料反射率曲線。在８－１８ＧＨｚ頻率范圍內，反射率均大于－２ｄＢ，甚至出現(xiàn)峰值反射率為－２２．６ｄＢ。氮原子摩爾分數(shù)為８．３４％的粉體設計的涂層在８－１８ＧＨｚ的頻率范圍內反射率均大于－５ｄＢ，即氮含量較低的粉體所設計的吸波材料對電磁波具有比較好的吸波效果。
普通陶瓷在用作防護材料時，由于其韌性差，受到彈丸撞擊后容易在撞擊區(qū)出現(xiàn)顯微破壞、垮晶、界面破壞、裂紋擴展等一系列破壞過程，從而降低了陶瓷材料的抗彈性能。而納米陶瓷由于其耐沖擊的性能可有效提高主戰(zhàn)坦克復合裝甲的抗彈能力，增強速射武器陶瓷襯管的抗燒蝕性和抗沖擊性。由防彈陶瓷外層和碳納米管復合材料作襯底，可制成堅硬如鋼的防彈背心。在高射武器方面采用納米陶瓷，可提高其抗燒結沖擊能力并延長使用壽命。目前國外復合裝甲已經采用高性能的防彈材料，在未來的戰(zhàn)爭中若能把納米陶瓷用于車輛裝甲防護，則會使裝甲層具有更好的抗彈、抗爆震、抗擊穿能力。
2.高溫材料
納米陶瓷具有高耐熱性、高溫抗氧化性、低密度、高斷裂韌性、抗腐蝕性和耐磨性，這些特性可提高航空發(fā)動機的渦輪前溫度，從而提高發(fā)動機的推重比和降低燃料消耗，因此納米材料有望成為艦艇、軍用渦輪發(fā)動機高溫部件的理想材料，以提高發(fā)動機的效率、可靠性與工作壽命。
3.吸收材料
ＳＩＮＣＯ陶瓷粉是用有機硅聚合物（ＰＳＮ）為前驅體，經高溫裂解得到黑色疏松體，再經球磨得到的黑色粉末。由于ＳＩＮＣＯ粉由ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４等具有吸波性的物質組成，而且具有良好的陶瓷特性，故受到研究人員的廣泛重視。周東等對ＳＩＮＣＯ粉末的吸波性能做了初步測試，實驗結果表明ＳＩＮＣＯ 粉在３８．０－３９．５ＧＨｚ高頻帶表現(xiàn)出較好吸波性，衰減大于１０ｄＢ．國外高溫吸波材料的研制主要集中在陶瓷基復合材料，除較早報道的ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４等的復合體，日本研制的ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４／Ｃ／ＢＮ耐高溫陶瓷吸波材料外，能作為高溫吸波材料的還有ＳｉＣｗｆ／ＧｅＯ２、ＺｒＯ２·Ａｌ２Ｏ３·２ＳｉＯ２／ｍｕｌｌｉｔｅ等。
納米ＳｉＣ不僅吸波性好，且耐高溫、相對密度小、韌性好、強度高、電阻率大、能削弱紅外信號，它與碳粉、納米金屬粉等結合吸波性能更佳。研究者們在ＳｉＣ中添加Ｎ、Ｏ等元素增強其半導體性能，其吸波性能也很好。Ｎｉｈａｒａ研究表明含有微米－納米級ＳｉＣ顆粒的復合陶瓷材料的性能明顯優(yōu)于常規(guī)單相ＳｉＣ材料，陶瓷的常溫和高溫性能都得到改善，穩(wěn)定性得以提高，其也是最有發(fā)展前途的陶瓷系統(tǒng)之一。碳化硅吸收劑雖然是隱身材料中最有希望的耐高溫吸波材料，但常規(guī)制備的碳化硅的吸收效率不是很高，并不能作為雷達波吸收劑，必須對其做進一步的處理，處理的目的是控制碳化硅的電導率，使其具有吸波性能�？刹扇煞N辦法提高ＳｉＣ的純度，并對其進行有控制的摻雜。日本利用純度極高的原料，制得幾乎不含任何雜質的ＳｉＣ粉體，該ＳｉＣ粉具有很寬的吸收頻帶和很高的吸波性能，但缺點是難以獲得純度極高的原料，成本高。西北工業(yè)大學的焦桓等采用ＣＶＤ法制備了ＳｉＣ（Ｎ）納米粉體，利用阻抗匹配原理進行優(yōu)化設計，分別設計出雙層吸波材料，用不同氮含量的ＳｉＣ（Ｎ）納米粉體設計吸波材料反射率曲線。在８－１８ＧＨｚ頻率范圍內，反射率均大于－２ｄＢ，甚至出現(xiàn)峰值反射率為－２２．６ｄＢ。氮原子摩爾分數(shù)為８．３４％的粉體設計的涂層在８－１８ＧＨｚ的頻率范圍內反射率均大于－５ｄＢ，即氮含量較低的粉體所設計的吸波材料對電磁波具有比較好的吸波效果。
