中國粉體網訊 “新基建”是近期熱詞之一。國家發(fā)改委近日首次明確新型基礎設施的范圍——新型基礎設施是以新發(fā)展理念為引領，以技術創(chuàng)新為驅動，以信息網絡為基礎，面向高質量發(fā)展需要，提供數字轉型、智能升級、融合創(chuàng)新等服務的基礎設施體系。
“在以5G、物聯網、工業(yè)互聯網等為代表的‘新基建’主要領域中，第三代半導體均可發(fā)揮重要作用�！� 北京大學寬禁帶半導體研究中心沈波教授介紹道，第三代半導體即寬禁帶半導體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件。
沈波解釋說，相比于目前在功率半導體領域依然占主流地位的傳統(tǒng)硅基器件，第三代半導體功率電子器件可使電子和電器設備進一步高效化、小型化、智能化。例如，耐高壓、大電流、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊，可大規(guī)模應用于智能電網、高速軌道交通、新能源汽車等領域；高效率、小體積、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊，則可大規(guī)模應用于新一代通用電源，如大數據中心、移動通信基站、物聯網終端設備的電源，以及手機、筆記本電腦的電源適配器、無線快充電源等領域，具有巨大技術優(yōu)勢和市場空間。
其中，第三代半導體射頻電子器件在民用和軍用領域都已實現規(guī)模化應用。尤其是，由于具備高頻、高功率、大帶寬的性能優(yōu)勢，氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動通信基站建設中發(fā)揮著不可替代的作用，我國5G建設提速，將觸發(fā)對氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長。
放眼國際，2019年全球半導體產業(yè)整體處于低迷期，但第三代半導體技術、產品、市場、投資均呈現較高增長態(tài)勢，龍頭企業(yè)紛紛加強在第三代半導體領域的布局，通過調整業(yè)務領域，擴大產能供給，整合并購，增強競爭能力。相比之下，我國第三代半導體功率電子和射頻電子產業(yè)處于起步階段，已初步形成從材料、器件到應用的全產業(yè)鏈，但整體技術水平還落后世界頂尖水平3—5年，亟須突破材料、器件、封裝及應用等環(huán)節(jié)的核心關鍵技術和可靠性、一致性等工程化應用問題。
“‘新基建’提速為我國第三代半導體產業(yè)發(fā)展提供了寶貴機遇，國內市場對第三代半導體材料和器件的需求快速提升，終端應用企業(yè)也在調整供應鏈，扶持國內企業(yè)，此前難以進入供應鏈的產業(yè)鏈上中游產品將獲得下游用戶驗證機會，進入多個關鍵廠商供應鏈�！钡谌雽w產業(yè)技術發(fā)展戰(zhàn)略聯盟秘書長于坤山說。
近日發(fā)布的《第三代半導體產業(yè)技術發(fā)展報告（2019年）》預測，2024年我國第三代半導體電力電子器件應用市場規(guī)模將近200億元，未來5年復合增長率超過40%。
面對難得機遇，于坤山建議，我國第三代半導體產業(yè)更應腳踏實地，行穩(wěn)致遠�！斑^去幾年政策資源大量傾斜，多地將第三代半導體列為重點支持產業(yè)，多措并舉招攬項目，也造成了一些低水平的重復。鑒于此，各地在大力支持產業(yè)發(fā)展的同時，還需關注協調、錯位發(fā)展，做好項目甄別，結合地方已有產業(yè)、人才和資源優(yōu)勢，考慮財政承載力和政策成本收益率，因地制宜配套政策。”
此外，第三代半導體產業(yè)近兩年市場高速增長主要得益于國家對半導體產業(yè)自主化的大力提倡所獲得的資本進入，以及碳化硅、氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數據中心等領域的新應用，但當前經濟下行導致消費電子、汽車乃至工業(yè)電機等各類產品市場下滑，出口受阻，下游需求萎縮，“行業(yè)應苦練內功，不斷提升產品性能和競爭力，深挖創(chuàng)新性應用，在拓展增量市場的同時不斷擴展在存量市場的滲透率，促進第三代半導體產業(yè)良性、可持續(xù)發(fā)展，同時還要面對‘為搶占先機超前投入，但市場的啟動往往低于預期’這一矛盾，把握好產業(yè)發(fā)展的節(jié)奏�！庇诶ど綇娬{。
（中國粉體網編輯整理/初末）
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