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        重慶三安意法半導(dǎo)體SiC襯底項目預(yù)計8月投產(chǎn)


        來源:重慶廣電

        [導(dǎo)讀]  三安意法半導(dǎo)體項目已實現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂,正在進行室內(nèi)裝修和設(shè)備采購,預(yù)計今年8月將實現(xiàn)點亮投產(chǎn)。

        中國粉體網(wǎng)訊  4月15日,據(jù)西永微電園官微消息,相關(guān)負責人表示,三安意法半導(dǎo)體項目已實現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂,正在進行室內(nèi)裝修和設(shè)備采購,預(yù)計今年8月將實現(xiàn)點亮投產(chǎn),比原計劃提前2個月。



        據(jù)悉,三安意法半導(dǎo)體項目總投資約300億元,全面整合了8英寸車規(guī)級碳化硅的襯底、外延、芯片的研發(fā)制造,致力于建設(shè)技術(shù)先進的8英寸碳化硅襯底和晶圓工廠。


        此前消息顯示,該項目包括一家車規(guī)級功率芯片制造企業(yè),以及為其提供碳化硅襯底的材料供應(yīng)商。其中,車規(guī)級功率芯片制造企業(yè),由國內(nèi)化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)三安光電和國際半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資設(shè)立,規(guī)劃總投資約32億美元,達產(chǎn)后,每年能生產(chǎn)48萬片8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片,主要應(yīng)用在新能源汽車主驅(qū)逆變、充電樁和車載充電器上。


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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