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王宏興，教授/博士生導(dǎo)師，西安交通大學(xué)電子物理與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任，美國(guó)電氣學(xué)會(huì)（IEEE）、日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)（JSAP）、日本電氣學(xué)會(huì)（IEEJ）、美國(guó)顯示學(xué)會(huì)（SID）和美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)（ACS）委員、陜西省真空學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)。獲國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)1項(xiàng)。近幾年，在Carbon、Appl Phys Lett、Diam Relat Mater、Optical Express、Laser & Photonics Reviews等國(guó)際著名期刊發(fā)表論文120余篇。申報(bào)相關(guān)國(guó)際、國(guó)內(nèi)發(fā)明專(zhuān)利100余項(xiàng)，并逐步把專(zhuān)利上升為行業(yè)或國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。所在的學(xué)科為國(guó)家雙一流學(xué)科，2017年被評(píng)為國(guó)家A-學(xué)科。
研究方向
1. 大面積、高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究；
2. 電子器件級(jí)高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體單晶薄膜及摻雜方法的研究；
3. 高溫、高效、大功率微波及電力電子器件的研究；
4. 基于寬禁帶半導(dǎo)體的傳感器和成像探測(cè)器的研究；
5. 新型化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)等關(guān)鍵設(shè)備的研制；
6. 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）結(jié)構(gòu)與器件；
7. 金剛石NV量子相干調(diào)控。
自主研發(fā)，從未停止
王宏興教授長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件、設(shè)備的研發(fā)，早期曾在日本德島大學(xué)酒井士郎教授團(tuán)隊(duì)參與氮化鎵MOCVD生長(zhǎng)技術(shù)的研究，成功開(kāi)發(fā)出單片和六片MOCVD，研發(fā)出了高亮度的氮化鎵LED，并被日本豐田合成等公司量產(chǎn)。
同時(shí)，參加了日本產(chǎn)、學(xué)、研聯(lián)合研發(fā)與量產(chǎn)大面積單晶金剛石襯底的項(xiàng)目，負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)出兩種類(lèi)型六種系列MPCVD設(shè)備和工藝，量產(chǎn)了1英寸單晶金剛石襯底。2013年9月以國(guó)家特聘專(zhuān)家回國(guó)在西安交通大學(xué)成立“寬禁帶半導(dǎo)體研究中心”，主要從事單晶金剛石設(shè)備、材料和器件的研發(fā)。實(shí)現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體從材料生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、性能表征整個(gè)平臺(tái)的建設(shè)。
MPCVD生長(zhǎng)設(shè)備 圖源：西安交大官網(wǎng)
十年磨劍，打破封鎖
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，金剛石半導(dǎo)體又被稱(chēng)為終極半導(dǎo)體。
“金剛石半導(dǎo)體具有超寬禁帶（5.45eV），高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（10MV/cm）、高載流子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率（22W/cmK）等材料特性，以及優(yōu)異的器件品質(zhì)因子�！� 西安交通大學(xué)王宏興教授介紹，“為此，采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的‘自熱效應(yīng)’和‘雪崩擊穿’等技術(shù)瓶頸，在5G/6G通信，微波/毫米波集成電路，探測(cè)與傳感等領(lǐng)域發(fā)展起到重要作用�！�
但是，全世界金剛石電子器件的發(fā)展都受限于大尺寸、高質(zhì)量的單晶襯底的難題限制。
10年前，我國(guó)在大尺寸單晶金剛石方面的研發(fā)幾乎是空白。2013年，作為西安交大引進(jìn)的國(guó)家級(jí)特聘專(zhuān)家人才，王宏興組建了西安交大寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究中心，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)科研人員開(kāi)始攻關(guān)，歷經(jīng)10年潛心研發(fā)，目前已形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的金剛石半導(dǎo)體外延設(shè)備研發(fā)、單晶/多晶襯底生長(zhǎng)、電子器件研制等系列技術(shù)，已獲授權(quán)48項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利。
王宏興教授（右三）與團(tuán)隊(duì)成員在討論研發(fā)中的問(wèn)題
2024年，西安交通大學(xué)王宏興教授團(tuán)隊(duì)采用自主研發(fā)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底的量產(chǎn)。
2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底照片
“大尺寸單晶金剛石生產(chǎn)設(shè)備和高質(zhì)量單晶金剛石襯底的制備技術(shù)，是我們需要攻克的關(guān)鍵技術(shù)，以打破國(guó)外的封鎖�！� 王宏興如是說(shuō)。
廣泛合作，促進(jìn)量產(chǎn)
王宏興團(tuán)隊(duì)采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底的批量化，并通過(guò)對(duì)成膜均勻性、溫場(chǎng)及流場(chǎng)的有效調(diào)控，進(jìn)而提高了異質(zhì)外延單晶金剛石成品率。其襯底表面具有臺(tái)階流（step-flow）生長(zhǎng)模式，可降低襯底的缺陷密度，提高晶體質(zhì)量。XRD（004）、（311）搖擺曲線半峰寬分別小于91arcsec和111arcsec，各項(xiàng)指標(biāo)已經(jīng)優(yōu)于國(guó)外最好的水平達(dá)到世界領(lǐng)先水平。
異質(zhì)外延金剛石光學(xué)顯微鏡照片（a）放大100倍（b）放大500倍
王宏興帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在實(shí)驗(yàn)室研發(fā)攻關(guān)的同時(shí)還與國(guó)內(nèi)相關(guān)大型通信公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)相關(guān)研究所等開(kāi)展金剛石半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)應(yīng)用的廣泛合作，促進(jìn)了金剛石射頻功率電子器件、電力電子器件、MEMS等器件的實(shí)用性發(fā)展。
據(jù)了解，王宏興團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)的單晶金剛石器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于我國(guó)5G通訊、高頻大功率探測(cè)裝置產(chǎn)品中。
參考來(lái)源：
西安交通大學(xué)官網(wǎng)，中國(guó)科學(xué)報(bào)
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/輕言）
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