中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日，法國(guó)半導(dǎo)體金剛石初創(chuàng)公司Diamfab和等離子體輔助化學(xué)氣相沉積 （CVD）人造金剛石初創(chuàng)公司HiQuTe Diamond宣布建立戰(zhàn)略技術(shù)合作伙伴關(guān)系，共同致力于人造金剛石半導(dǎo)體技術(shù)的開發(fā)。此次合作涵蓋了從襯底生產(chǎn)到電子元件制造的關(guān)鍵階段，旨在通過(guò)摻雜層的外延技術(shù)，推動(dòng)金剛石半導(dǎo)體在工業(yè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

據(jù)了解，Diamfab將負(fù)責(zé)使用先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)工藝對(duì)摻雜層進(jìn)行外延生長(zhǎng)，以及制造高性能組件。HiQuTe Diamond將貢獻(xiàn)其在生產(chǎn)高質(zhì)量金剛石襯底方面的專業(yè)知識(shí)，這些襯底經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可最大限度地提高電力電子設(shè)備的性能。

圖源：Diamfab官網(wǎng)

兩家公司表示，由于地理位置接近和行業(yè)敏捷性，他們有信心加快技術(shù)迭代周期，迅速實(shí)現(xiàn)前所未有的技術(shù)和財(cái)務(wù)績(jī)效。這一合作將使金剛石半導(dǎo)體技術(shù)更快地成為工業(yè)現(xiàn)實(shí)，為電氣化的廣泛采用和經(jīng)濟(jì)部門的脫碳提供有力支持。

Diamfab公司的首席執(zhí)行官Gauthier Chicot表示：“金剛石半導(dǎo)體的性能水平比基于傳統(tǒng)材料的組件高出10-40倍，是實(shí)現(xiàn)電氣化和脫碳目標(biāo)的關(guān)鍵。通過(guò)與HiQuTe Diamond合作，我們擁有意愿、技術(shù)和人力資源，在法國(guó)創(chuàng)造這個(gè)卓越的行業(yè)�！�

HiQuTe Diamond公司的首席執(zhí)行官Florent Alzetto也指出：“等離子體輔助CVD生長(zhǎng)工藝可以生產(chǎn)出特別適用于電力電子要求苛刻的硼摻雜金剛石。這種可持續(xù)的工藝不僅確保了對(duì)物理特性的嚴(yán)格控制，還能有效應(yīng)對(duì)性能挑戰(zhàn)。我們和Diamfab的專業(yè)知識(shí)融合，為應(yīng)對(duì)性能和能源效率方面的全球工業(yè)挑戰(zhàn)提供了前所未有的機(jī)會(huì)�！�

此前，Diamfab公司就在金剛石芯片技術(shù)上取得了進(jìn)展，2024年3月獲得870萬(wàn)歐元首輪融資，由Asterion Ventures、法國(guó)政府等投資者支持。同時(shí)，Diamfab在金剛石外延和摻雜技術(shù)上取得突破，擁有四項(xiàng)專利，專注于金剛石層生長(zhǎng)、摻雜及電子元件設(shè)計(jì)。Diamfab的金剛石技術(shù)實(shí)現(xiàn)高電流密度和擊穿電場(chǎng)，超越SiC等現(xiàn)有材料，計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓生產(chǎn)。

根據(jù)計(jì)劃，兩家公司將開始合作，使用Diamfab優(yōu)化的金剛石外延技術(shù)，在HiQuTe Diamond襯底上制造第一個(gè)系列的垂直肖特基二極管。預(yù)計(jì)第一批原型將于2025年春季推出，這將標(biāo)志著金剛石半導(dǎo)體技術(shù)在工業(yè)應(yīng)用方面的重要突破。

參考來(lái)源：

Diamfab官網(wǎng)，中國(guó)粉體網(wǎng)

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/輕言）

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