中國粉體網(wǎng)訊  碳化硅（SiC）是一種性能優(yōu)異的結構陶瓷材料。碳化硅零部件，即以碳化硅及其復合材料為主要材料的設備零部件，其具備密度高、熱傳導率高、彎曲強度大、彈性模數(shù)大等特性，能夠適應晶圓外延、刻蝕等制造環(huán)節(jié)的強腐蝕性、超高溫的惡劣反應環(huán)境，因此廣泛應用于外延生長設備、刻蝕設備、氧化/擴散/退火設備等主要半導體設備。根據(jù)晶體結構，碳化硅晶型很多，目前常見的SiC主要是3C、4H以及6H型，不同晶型的SiC用途不同。其中，3C-SiC也通常被稱為β-SiC，β-SiC的一個重要用途就是用作薄膜和涂層材料，因此，目前β-SiC是作石墨基座涂層的主要材料。根據(jù)制備工藝，碳化硅零部件可分為化學氣相沉積碳化硅（CVD SiC）、反..【詳細】