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Leica EM RES102
多功能離子減薄儀,適用于TEM,SEM以及LM的樣品制備
離子束研磨
近來,離子束研磨技術已經被發(fā)展為非常適宜無機材料樣品分析的一項樣品制備技術。離子束研磨技術是利用高能量的離子束轟擊方式以去除樣品表面物質或對樣品表面起到修飾作用。離子槍(在一個高真空環(huán)境中)產生離子束,以一個入射角度向樣品表面轟擊 。
對于TEM樣品的離子束減薄,通常離子束以一個較低的入射角度轟擊到樣品表面,起到樣品表面拋光作用,直到將薄片樣品被研磨至電子束透明為止。
對于SEM樣品的表面修飾作用,可利用較大的入射角度進行離子束研磨來實現,入射角度可達到 90°。SEM樣品制備包含樣品表面離子清潔,離子束拋光和襯度增強。
先進的解決方案
Leica EM RES102 是一款先進的離子束研磨設備,帶有兩個鞍形場離子源,離子束能量可調,以獲得優(yōu)良的離子研磨結果。這一款獨立的桌面型設備集TEM,SEM和LM樣品制備功能于一體,這與市面上其它設備不同。除了高能量離子研磨功能外,徠卡EM RES102 還可用于低能量很溫和的離子束研磨過程。
TEM樣品
· 單面或雙面離子束研磨適用于材料的離子束減薄過程。鞍形場離子源可獲得很大的電子束透明薄區(qū)。
· 程序化控制的離子入射角度變化,適用于完成特殊的樣品制備目的,例如FIB樣品清潔,以減少無定形非晶層。
SEM或LM樣品
·離子束拋光**拋光區(qū)域可達25mm。
· 離子束清潔適用于對樣品表面污染層或機械拋光后表面產生的涂抹層進行清潔。
· 樣品表面襯度增強作用,可替代化學刻蝕作用。
· 35°斜坡切割用于制備多層樣品的截面。
· 90°斜坡切割用于制備復合結構的半導體樣品或組裝器件,這種方式可大大減少機械預加工工作量。
主要特點
· 一臺桌面型設備,集TEM,SEM和LM樣品制備功能于一體
· 通過局域網實現對離子研磨過程遠程遙控
· 離子束拋光區(qū)域很大,可達25mm
· 離子研磨過程參數全電腦控制
TEM,SEM或LM樣品制備-在于您的選擇
為了支持多樣化的應用需求,Leica EM RES102 可以裝配各種樣品臺以適用于TEM,SEM及LM樣品制備。預抽室系統(tǒng)實現樣品快速交換,從而可有效提高樣品交換效率。
SEM
該樣品臺適用于SEM和LM樣品的離子束清潔,拋光和襯度增強,可在環(huán)境溫度下或LN2制冷情況下使用。SEM樣品臺可以制備尺寸達25mm的樣品。適配器用于夾持商品化生產的帶有3.1mm直徑插針的SEM的樣品座。
SEM
斜坡切割樣品臺適用于切割樣品獲得縱截面(90°)或斜截面(35°),便于SEM觀察樣品內部縱向結構,可以在環(huán)境溫度下或LN2制冷情況下使用。
SEM
薄片樣品臺用于夾持尺寸為5(H)×7(W)×2(D)mm樣品。該樣品臺可以很方便地被直接轉移進SEM中,而不需要取出樣品。
TEM
TEM樣品夾用于單面或雙面離子束減薄,減薄角度可低至4°。
TEM
TEM冷凍樣品夾具與LN2制冷裝置聯(lián)用,用于制備溫度敏感型樣品。
FIB
FIB清潔樣品臺用于清潔FIB樣品,減少表面無定形非晶層。
帶給您的好處
徠卡EM RES102 可對樣品進行離子束減薄,清潔,截面切割,拋光以及襯度增強,這大大滿足了您對應用需求的多樣化和便利性。
操作簡便
· 19”觸摸屏電腦控制單元,監(jiān)控并記錄制樣過程
·內置應用參數庫
·程序化制樣參數設定,加速初學者學習曲線
·幫助文件幫助初學者以及對設備進行維護
高效/節(jié)約成本
· TEM,SEM和LM應用功能集于一體
·TEM樣品制備獲得的薄區(qū)大,有效提高了TEM樣品制備效率
·SEM樣品制備**可達25mm樣品直徑
·預抽室系統(tǒng)幫助快速交換樣品,減少等待時間,并保證了樣品室的持續(xù)高真空
·局域網功能方便遠程操控
·LN2樣品臺使得溫度敏感型樣品可在優(yōu)化條件下進行離子研磨
安全
·精確的自動終止功能,適用于光學終止或透明樣品的法拉第杯終止
·在制樣過程中可以實時存儲活圖像或視頻
·離子源和樣品運動馬達驅動,程序化控制,因而可獲得重復性制樣結果
技術參數
離子源
離子槍 | 兩把鞍形場離子槍,離子研磨區(qū)域大 |
離子能量 | 0.8kev至10kev(0.1kev每步) |
離子束流 | ≤4.5mA(每把離子槍) |
離子束流密度 | 8kV/3mA條件下約1mA/cm2(每把離子槍) |
離子束半高寬FWHM | 10keV條件下0.8mm,2keV條件下2.5mm |
使用氣體 | 氬氣,純度99.999%(Ar5.0)進氣氣壓200-800mbar |
氣體流速 | 每把離子槍小于1 sccm,自動控制 |
傾斜角度設定(電腦控制)
離子槍傾斜 -離子槍1 -離子槍2 | ±45°(精度為0.1°) ±45°(精度為0.1°) |
樣品臺傾斜范圍 | -230°至100°(精度為0.1°) |
離子研磨角度范圍 | -90°至90°(角度與不同樣品臺有關) |
樣品移動范圍(電腦控制)
旋轉速率 | 0.6至10rpm |
擺動范圍 | ≤360°,每步1° |
零位設置 | 每步1° |
X方向移動 | ±5mm,精度0.1mm |
傾斜范圍 | -230°至100° |
裝載樣品尺寸
冷凍裝置(選配)
· 自動液氮制冷接觸裝置
· 自動加熱裝置避免潮濕污染樣品
· LN2消耗量約0.6L/h
操作控制(用戶界面)
· Windows 7操作系統(tǒng),19英寸觸摸屏電腦控制
· 具有局域網遠程控制和監(jiān)視功能
· 內置應用程序庫
· 可個性化修改和存儲離子研磨參數,單個程序使用或組合程序序列
真空系統(tǒng)
· 無油真空系統(tǒng),<1×10-5mbar,配置4段式隔膜泵和渦輪分子泵(70L/s)
· 配置預抽真空室,樣品交換時間小于1分鐘
真空檢測
· 全程范圍真空檢測,Pirani真空計檢測低真空,冷陰極檢測高真空
觀察系統(tǒng)
· 數字CMOS彩色攝像頭,帶自動放大觀察功能,自動光圈調整和自動聚焦
· 可實時存儲圖像和錄像
· 離子束感光功能(偽彩色圖像),用于精準調整離子槍對中
自動終止離子束加工過程
· 通過時間終止
· 對于不透明樣品的光學終止
· 對于不透明和透明樣品的法拉第杯終止(選配)
電氣參數
電壓 | 90至260VAC,50/60Hz |
功率 | ≤400W |
尺寸與重量
主機 | 寬 | 深 | 高 | 凈重 |
720mm | 700mm | 950mm | ~100kg |
與徠卡EM TXP 相兼容
在使用徠卡EM RES102 之前,往往需要對樣品進行機械預加工以切割研磨拋光到盡可能接近于目標區(qū)域。徠卡EM TXP 是一款專門的可對目標區(qū)域進行精準定位的表面處理設備,可對樣品進行切割及拋光等,適合于作為如徠卡EM RES102 等設備的前期制樣工具。徠卡EM TXP 可對樣品進行諸如切割,銑削,研磨及拋光等前處理,尤其適用于需要目標精細定位或需對微小目標進行定點處理的高難度樣品。
徠卡EM TXP 是一款專門的可對目標區(qū)域進行精準定位的表面處理設備,可對樣品進行切割及拋光等,適合于作為如徠卡EM RES102 等設備的前期制樣工具。
徠卡EM TXP/EM RES102 應用于SEM
利用徠卡EM TXP 制樣獲得的一個金線焊點(如左圖)。再用徠卡EM RES102對同一個金線焊點做離子束拋光約30分鐘(右圖)。
LEICA EM RES102 -多功能離子減薄儀
徠卡EM TXP/EM RES102 應用于TEM
一個封裝集成電路樣品,經徠卡EM TXP制備成直徑3mm,厚度40μm的截面薄片樣品,被夾持在徠卡EM RES102 TEM 樣品夾中。
徠卡納米技術部-Leica Nano Technology
為透射電鏡/掃描電鏡提供樣品制備全套解決方案。徠卡納米技術部提供:超薄切片、組織處理、高壓冷凍、鍍膜、臨界點干燥、機械研磨拋光、離子束研磨、冷凍斷裂/復型及真空環(huán)境傳輸等各類技術手段,適用于TEM/SEM/FIB/LM/AFM 樣品制備。
徠卡顯微系統(tǒng)——具有強大全球客戶服務網絡的國際性公司:
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