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        SiC外延爐
        SiC外延爐

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        面議

        型號

        SiC外延爐

        品牌

        電子科技

        產(chǎn)地

        湖南

        樣本

        暫無
        中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

        高級會員

        |

        第1年

        |

        生產(chǎn)商

        工商已核實

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        核心參數(shù)
        • 金屬電熱元件:

          其他
        • 燒結(jié)氣氛:

          其他
        • 溫控精度:

          ±1℃
        • 最高溫度:

          1700℃
        • 額定溫度:

          -
        • 非金屬電熱元件:

          其他
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              1.晶片尺寸:4”~6”;
          2.**溫度:1700℃;
          3.控溫精度:±1℃;
          4.極限真空:優(yōu)于3Pa;
          5.壓力穩(wěn)定性:100~1000mbar;
          6.反應(yīng)室漏氣率:1E-10Pa·m3/S
          7.工藝氣體:SiH4、C3H8、N2、TMAl ;
          8.載氣:Ar、H2 。

              1.內(nèi)置式電磁感應(yīng)加熱,升降溫速度快
          2.基片氣浮行星旋轉(zhuǎn)運動,溫度、外延膜均勻性好
          3.三層水平層流送氣,氣流均勻性好
          4.噴淋頭水冷,預(yù)反應(yīng)小
          5.手套箱裝取片 ,反應(yīng)室內(nèi)潔凈度高

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