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氧化鎵專用晶體生長設(shè)備品牌
杭州鎵仁產(chǎn)地
浙江樣本
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產(chǎn)品特性
產(chǎn)品概述
鎵仁半導(dǎo)體可提供高質(zhì)量氧化鎵專用長晶設(shè)備
技術(shù)參數(shù)
晶體生長爐設(shè)備指標(biāo)
**工作溫度：1820℃；
高溫工作氣氛：大氣環(huán)境（O2濃度 ≈ 21%）；
連續(xù)工作時(shí)長：≥100h ，確保完成一爐晶體生長；
晶體生長段溫度梯度：≈10 ℃/cm；
晶體生長速度：0.2 ~ 4 mm/h。
高溫工藝段控溫精度：≤ ±0.2 ℃
全溫度段控溫精度：≤ ±0.3 ℃
暫無數(shù)據(jù)！
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