中國(guó)粉體網(wǎng)訊  投資50億元，建設(shè)用地約1000畝的中國(guó)電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將在山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)投產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，該項(xiàng)目計(jì)劃用5年時(shí)間，建成“一中心三基地”，即：中國(guó)電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國(guó)電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國(guó)電科（山西）三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、中國(guó)電科（山西）光伏新能源產(chǎn)業(yè)基地。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值100億元。

通過吸引上游企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)聚集效應(yīng)，打造電子裝備制造、三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，建成國(guó)內(nèi)最大的碳化硅材料供應(yīng)基地，積極推動(dòng)山西經(jīng)濟(jì)的轉(zhuǎn)型升級(jí)。

大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率，是第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶材料最響亮的“名片”，不過，碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的長(zhǎng)晶工藝技術(shù)是其核心。而在中國(guó)，碳化硅單晶襯底材料長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，其高昂的售價(jià)和不穩(wěn)定的供貨情況大大限制了國(guó)內(nèi)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展。

據(jù)了解，自2007年，中國(guó)電科2所開始著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，依靠自身在電子專用設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，潛心鉆研著碳化硅單晶生長(zhǎng)爐的研制。經(jīng)過多年的不懈努力，全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長(zhǎng)、晶片加工、外延驗(yàn)證等整套碳化硅材料研制線，在國(guó)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/三昧）

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