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            半絕緣型單晶襯底
            半絕緣型單晶襯底

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            型號

            半絕緣型單晶襯底

            品牌

            晶沐光電

            產(chǎn)地

            江蘇

            樣本

            暫無
            江陰晶沐光電新材料有限公司

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            介紹碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料,屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料。碳化硅是由C和Si元素按1:1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場等優(yōu)異特性。

            ?

            應(yīng)用:在5G基站建設(shè)中,用于制作氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)等射頻功率放大器器件;在衛(wèi)星通信的射頻器件;可用于制作紫外探測器;在增強現(xiàn)實(AR)衍射光波導(dǎo)中可作為理想的波導(dǎo)材料;高溫壓力傳感器、高頻振動傳感器、輻射傳感器等。

            產(chǎn)品規(guī)格書

            碳化硅4H-HPSI高純半絕緣型單晶襯底(2~6英寸)

            直徑

            50.8mm

            76.2mm

            100mm

            150mm

            厚度

            500μm

            500μm

            500μm

            500μm

            表面晶向

            {0001} ± 0.2°

            主參考面晶向

            <11-20>± 5.0?

            <1-100>±5°

            主參考面長度

            16mm

            22mm

            32.5mm

            Notch

            次參考面位置

            Silicon face up: 90.0? CW from Primary ± 5.0?

            N/A

            次參考面長度

            8mm

            11mm

            18mm

            N/A

            電阻率

            ≥1E7 Ω·cm

            正面狀態(tài)

            Si-Face:CMP,Ra<0.2nm

            反面狀態(tài)

            C-Face:Optical Polish,Ra<0.5nm

            鐳刻碼面

            Back side:C-Face

            總厚度偏差TTV

            ≤10μm

            ≤15μm

            ≤15μm

            ≤15μm

            彎曲度BOW

            ≤25μm

            ≤25μm

            ≤30μm

            ≤40μm

            翹曲度WARP

            ≤30μm

            ≤35μm

            ≤40μm

            ≤60μm

            邊緣去除

            ≤3 mm


            ?

            產(chǎn)品性能表

            碳化硅單晶 Silicon carbide

            晶體結(jié)構(gòu)

            六方晶體

            禁帶寬度(eV)

            3.26eV

            熔點(℃)

            2730℃

            莫氏硬度(mohs)

            9.2

            熱導(dǎo)率(W·cm-1·℃-1)

            4.9W·cm-1·℃-1

            熱膨脹系數(shù)(℃-1)

            4.7×10-6

            晶格常數(shù)(nm)

            a=0.3076 c=0.5048

            電子遷移率(cm-2·V-1·s-1

            720650c

            擊穿電場(MV·cm-1)

            3.1

            JFM指數(shù)(power)

            410

            BFM指數(shù)(SW)

            290

            BHFM指數(shù)(RF)

            34

            折射率

            2.6767~2.6480

            介紹碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料,屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料。碳化硅是由C和Si元素按1:1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場等優(yōu)異特性。

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            ?

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            10分

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            10分

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