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碳化硅導電特殊晶型單晶襯底（6H-N/4H-P/6H-P/3C-N） | ||||
直徑 | 10*10 mm | 50.8mm | 100mm | |
厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | |
晶型 | 6H-N ∣ 4H-P ∣ 6H-P ∣3C-N | |||
表面晶向6H-N/4H-P/6H-P | Off axis: 0.0°- 8.0° toward <11-20> ± 0.5° | |||
表面晶向3C-N | On axis : <0001>±0.5° | |||
電阻率6H-N/4H-P/6H-P | ≤ 0.5 Ω ·cm | |||
電阻率3C-N | ≤ 1.0 mΩ ·cm | |||
正面狀態(tài) | Si-Face：CMP,Ra<0.5nm | |||
反面狀態(tài) | C-Face：Optical Polish,Ra<1.0nm | |||
鐳刻碼面 | Back side ：C-Face | |||
總厚度偏差TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm | |
彎曲度BOW | ≤15μm | ≤25μm | ≤25μm | |
翹曲度WARP | ≤30μm | ≤30μm | ≤40μm | |
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碳化硅單晶 Silicon carbide | |
晶體結構 | 六方晶體 |
禁帶寬度(eV) | 3.26eV |
熔點（℃） | 2730℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.2 |
熱導率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 |
熱膨脹系數(shù)(℃-1) | 4.7×10-6 |
晶格常數(shù)(nm) | a=0.3076 c=0.5048 |
電子遷移率（cm-2·V-1·s-1） | 720a 650c |
擊穿電場(MV·cm-1) | 3.1 |
JFM指數(shù)（power） | 410 |
BFM指數(shù)(SW) | 290 |
BHFM指數(shù)(RF) | 34 |
折射率 | 2.6767～2.6480 |
暫無數(shù)據(jù)！
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