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碳化硅基氮化鎵外延HEMT品牌
晶沐光電產(chǎn)地
江蘇樣本
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介紹:碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMT)外延技術(shù)是在碳化硅(SiC)襯底上生長氮化鎵(GaN)薄膜,結(jié)合了GaN的高頻高功率性能和SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性。
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應(yīng)用:用于5G基站中的射頻功率放大器;雷達系統(tǒng);衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的高功率放大器、高效電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電器和工業(yè)電機驅(qū)動器;無線通信基站中的射頻前端模塊等。
暫無數(shù)據(jù)!