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            硅基氮化鎵外延
            硅基氮化鎵外延

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            面議

            型號(hào)

            硅基氮化鎵外延Template

            品牌

            晶沐光電

            產(chǎn)地

            江蘇

            樣本

            暫無
            江陰晶沐光電新材料有限公司

            高級(jí)會(huì)員

            |

            第1年

            |

            生產(chǎn)商

            工商已核實(shí)

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            介紹:硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延是在硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵薄膜的技術(shù),結(jié)合了GaN的高性能和硅襯底的低成本優(yōu)勢(shì)。

            ?

            應(yīng)用:用于高效電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的功率電子器件;適用于5G基站、雷達(dá)和衛(wèi)星通信等射頻器件;用于高亮度LED,提升發(fā)光效率等。

            產(chǎn)品規(guī)格書


            ?

            ?

            硅基氮化鎵外延襯底Tempalte(2~8inch)

            襯底直徑

            50.8mm

            100mm

            150mm

            200mm

            硅襯底厚度

            1000μm

            1000μm

            1000μm

            1150μm

            硅襯底表面

            Polished/Etched

            硅襯底晶向

            P(111)


            外延導(dǎo)電類型

            N-type

            P-type

            UID


            外延摻雜元素

            Si-doping

            Mg-doping

            Undoped


            外延層厚度

            <5 um

            外延層厚度均勻性

            ≤5%

            外延層表面

            RMS<2nm

            外延結(jié)構(gòu)圖


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            售后服務(wù)

            10分

            易用性

            10分

            性價(jià)比

            10分
            評(píng)論內(nèi)容
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            硅基氮化鎵外延信息由江陰晶沐光電新材料有限公司為您提供,如您想了解更多關(guān)于硅基氮化鎵外延報(bào)價(jià)、型號(hào)、參數(shù)等信息,歡迎來電或留言咨詢。
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            關(guān)注度 99
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