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        美國SVT脈沖激光沉積設備/PLD
        美國SVT脈沖激光沉積設備/PLD

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        SVTSMARTScientific Materials and Applied Research Tool)脈沖激光沉積系統(tǒng)具有****的優(yōu)越性。它可以把激光燒蝕技術和我們所擁有的其他沉積技術(如RF源)集成于一臺設備上??梢陨L各種可能的材料。

        配有6個旋轉(zhuǎn)靶臺,實現(xiàn)多層薄膜結構生長。

        可與準分子激光和Yag激光相連。

        在線監(jiān)控儀器做為可選件,為客戶提供高質(zhì)量的工藝信息反饋。

        裝載室不但可以裝取樣品,還可以與其他生長設備或分析設備相連。

        應用

        多元素復合氧化物

        高溫超導材料

        磁性材料、金屬材料

        低蒸汽壓材料

        MEMS

        基本系統(tǒng)

        腔室及真空泵

        12’’ 快速門,250l/s 分子泵,全量程規(guī)

        沉積源

        靶臺,6X1’’(25mm) 靶,可以水平旋轉(zhuǎn),

        Z方向移動

        樣品臺

        1’’(25mm)大小,可加熱至800oC1000oC可選),可水平旋轉(zhuǎn),可Z方向移動

        在線工藝監(jiān)控

        石英晶振沉積速率監(jiān)控儀

        自動化

        自動化裝置:

        控制樣品溫度和旋轉(zhuǎn)

        靶臺的位置控制

        靶臺旋轉(zhuǎn)

        氣體控制

        速率及厚度計算(利用QCM輸出)

        激光束掃描(可選)

        激光束屏蔽控制

        自動泵抽和充氣

        差分泵抽結構

        RHEED分析(可選)

        裝載室壓強監(jiān)控(可選)

        主要特點

        RF射頻等離子源(氧,氮)

        升級高真空

        增加進樣室

        升級為Laser-MBE (L-MBE)系統(tǒng)

        自動軟件控制

        提供更潔凈的薄膜生長環(huán)境,**的溫度控制解決方案.

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        性價比

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