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反射高能電子衍射儀是MBE制程的一部分。在薄膜沉積過(guò)程中，RHEED給客戶提供了重要的信息。
首先，RHEED圖像表征樣品表面的狀態(tài)。
其次，其強(qiáng)度震蕩可以提供生長(zhǎng)速率的量化數(shù)據(jù)。
RHEED提供了清晰的焦點(diǎn)，以及衍射圖樣，并能夠在屏幕上高亮度顯示。
電子光學(xué)部件有磁性保護(hù)罩，便于提高操作性。
可選部件：RHEED圖像分析硬件和軟件系統(tǒng)，可以實(shí)時(shí)獲取RHEED圖樣，使用戶便于觀察和控制薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量。完整的RHEED系統(tǒng)包括 10KeV RHEED電子束源，電源及配套光纜。
技術(shù)參數(shù)：
束流電壓 | 10KV |
燈絲電流 | 3A |
發(fā)射電流 | 5A |
光斑大小 | 1.0mm (17’’/1075px距離) |
**烘烤溫度 | 230 oC |
RHEED Electron Source
2.75"和4" 法蘭
RHEED Power Supply
RHEED Image Analysis Software
高分辨CCD 或相機(jī)
實(shí)時(shí)分析
2D/3D分析
RHEED Optional Components
主要特點(diǎn)：
實(shí)時(shí)檢測(cè)外延生長(zhǎng)
測(cè)量薄膜生長(zhǎng)速率
單晶薄膜的生中速率測(cè)量
光學(xué)部件帶有磁性罩
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